公开/公告号CN111303009B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN201811519569.3
申请日2018-12-12
分类号C07D209/86(20060101);C07C255/52(20060101);C07D265/38(20060101);C07D279/22(20060101);C09K11/06(20060101);H01L51/50(20060101);H01L51/54(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人许恒恒;李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2022-08-23 13:07:02
机译: 具有降低的阈值电压滚降的金属氧化物半导体器件及其阈值电压滚降的缓解方法
机译: 接枝反应产物的降冰片烯聚合物是由具有卤素基的降冰片烯单体引发的大单体最终可以引发自由基聚合反应,具有降冰片烯聚合物的基础可以引发自由基聚合反应。侧链,利用大分子单体和丙烯酸酯单体或苯乙烯单体-那些制备方法
机译: 包含蒽光自由基聚合敏化剂和萘光自由基聚合敏化剂的光自由基聚合组合物