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一种低介电常数中空氧化铝/二氧化硅纳米复合材料及应用

摘要

本发明属于材料化学技术领域,具体涉及一种低介电常数中空氧化铝/二氧化硅纳米复合材料,并进一步公开其制备方法及应用。所述低介电常数中空氧化铝/二氧化硅纳米复合材料为具有闭合空腔结构的叠层壳体结构,通过在中空二氧化硅壳层外表面定向沉积氧化铝,其内层壳体为二氧化硅层,并在二氧化硅层表面沉淀生长氧化铝外壳壳体,有效结合了氧化铝与二氧化硅的优点,可同时发挥中空二氧化硅的低介电常数、低折射率、高频介电稳定性的优点,同时利用氧化铝材料高强度、抗化学侵蚀、热导率小、热膨胀系数低等优势,可适用于减反射领域及5G毫米波频段领域的性能要求。

著录项

  • 公开/公告号CN111547729B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东国瓷功能材料股份有限公司;

    申请/专利号CN202010500170.1

  • 发明设计人 宋锡滨;马雁冰;李心勇;潘光军;

    申请日2020-06-04

  • 分类号C01B33/18(20060101);C01B33/12(20060101);C01F7/142(20220101);C01F7/34(20060101);

  • 代理机构11560 北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人江莉莉

  • 地址 257091 山东省东营市经济开发区辽河路24号

  • 入库时间 2022-08-23 13:06:59

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