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记忆胞及其制造方法、记忆胞数组及记忆胞的操作方法

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一种相变记忆胞的制作方法。相变内存单元的一个接触的剖面面积会受下电极的宽度与暴露的长度影响，本方法可以制作非常小的相变记忆胞。

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公开/公告号CN100481553C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-22

原文格式PDF
申请/专利权人旺宏电子股份有限公司;
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申请/专利号CN200510097480.9
发明设计人龙翔澜;
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申请日2005-12-28
分类号H01L45/00(20060101);H01L27/24(20060101);H01L21/82(20060101);
代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;
代理人寿宁;张华辉
地址中国台湾
入库时间 2022-08-23 09:02:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-04-22

授权

授权
2006-10-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-08-16

公开

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1. 记忆胞及其制造方法、记忆胞数组及记忆胞的操作方法 [P] . 中国专利： CN100481553C . 2009.04.22
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