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薄膜体声波谐振器结构以及薄膜体声波滤波器

摘要

本发明提出了薄膜体声波谐振器结构以及薄膜体声波滤波器,所述薄膜体声波谐振器结构。薄膜体声波谐振器包括带有梯形凹槽的基体;所述基体上方布设有缓冲层;所述凹槽和缓冲层之间形成第一空腔;所述缓冲层上方设置有几字形压电层;所述压电层的几字形凸起下表面设有第一电极;所述第一电极与所述缓冲层之间形成第二空腔;所述几字形压电层的上表面设有第二电极;所述保护层覆盖与所述第二电极和外露的沉积压电层表面。

著录项

  • 公开/公告号CN113852359B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳新声半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111416434.6

  • 发明设计人 魏彬;

    申请日2021-11-26

  • 分类号H03H9/02(20060101);H03H9/56(20060101);H03H9/58(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 518110 广东省深圳市龙华区民治街道民泰社区万科金域华府一期1-8座5座301

  • 入库时间 2022-08-23 13:06:36

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