用于高质量界面的替换沟道蚀刻

摘要

公开了用于定制基于鳍状物的晶体管器件以提供各种范围的沟道构造和/或材料系统并且在同一集成电路管芯内的技术。经由被配置成提供无小面且不具有离子损伤或具有低离子损伤的沟槽底部的湿法和/或干法蚀刻化学方式来去除牺牲鳍状物。然后利用期望的半导体材料填充沟槽。具有低离子损伤和无小面形貌的沟槽底部促进了衬底和替换材料之间的无缺陷或低缺陷的界面。在实施例中，使第一组牺牲硅鳍状物中的每一个凹陷并将其替换为p型材料，以及使第二组牺牲鳍状物中的每一个凹陷并将其替换为n型材料。另一个实施例可以包括原生鳍状物(例如，Si)和替换鳍状物(例如，SiGe)的组合。另一个实施例可以包括全部是相同构造的替换鳍状物。