公开/公告号CN112483907B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市祥为测控技术有限公司;
申请/专利号CN202011252197.X
申请日2020-11-10
分类号F17D5/06(20060101);G01M3/24(20060101);
代理机构44542 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司;
代理人孔德丞
地址 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道高峰社区陶吓锦华大厦1609-1610室
入库时间 2022-08-23 13:05:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-11
授权
发明专利权授予
机译: 测量具有栅极,源极,漏极,漏极感测和源极感测的半导体器件的模拟沟道电阻的方法
机译: 利用电压降跨漏极对源电阻的场效应晶体管电流感测的方法和装置,可消除对场效应晶体管温度和/或漏极初始值的统计分布的依赖
机译: 使用跨漏极至源极电阻的电压降来进行场效应晶体管电流感测的方法和设备,消除了对场效应晶体管温度和/或漏极至源极电阻初始值的统计分布的依赖性