首页> 中国专利> 新型三维硅结构超级电容器电极材料及其制备方法

新型三维硅结构超级电容器电极材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种新型三维硅结构超级电容器电极材料及其制备方法,以三维硅结构为基底,在其表面制备活性层,将电荷收集层覆盖在活性层表面;电荷收集层二维导电材料为主体,导电聚合物为粘结剂,在活性层表面制备出导电性较高的多孔网络状电荷收集层。在制备大面积的电极材料时,为增加电荷的收集效率,在高导层表面蒸镀金属栅电极材料。该方法制备的三维硅结构电极材料,无需考虑硅基底的导电率、纯度和晶型,也不需要对硅表面进行钝化,降低了硅电极材料的原料成本,简化了硅电极的制备方法。

著录项

  • 公开/公告号CN111508717B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏大学;

    申请/专利号CN202010229073.3

  • 发明设计人 申小娟;张旋;朱脉勇;李松军;

    申请日2020-03-27

  • 分类号H01G11/24(20130101);H01G11/26(20130101);H01G11/46(20130101);H01G11/48(20130101);H01G11/86(20130101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

  • 入库时间 2022-08-23 13:04:56

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号