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传感器未对准测量的方法和装置

摘要

本发明涉及用于测量半导体装置的诸层之间的未对准的系统及方法。在具体实施例中,一种方法,其包括:施加输入电压至与半导体装置的第一导电层关联的一个或多个第一电极中的每一个;感测一个或多个第二电极与所述半导体装置的第二导电层关联的电气性质,以响应施加所述输入电压至所述一个或多个第一电极的每一个;以及依据所述一个或多个第二电极的所述电气性质来计算所述半导体装置的所述第一导电层与所述半导体装置的所述第二导电层之间朝面内方向的未对准。

著录项

  • 公开/公告号CN111213028B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应美盛公司;

    申请/专利号CN201880066758.1

  • 申请日2018-10-11

  • 分类号G01B7/00(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人南霆;程爽

  • 地址 美国加州

  • 入库时间 2022-08-23 13:03:54

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