退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111304646B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州科技大学;
申请/专利号CN202010132851.7
发明设计人 徐洪祥;卢金斌;冯杰;朱瑞雨;徐子维;殷振;
申请日2020-02-29
分类号C23C24/10(20060101);B22F1/00(20060101);B22F9/04(20060101);
代理机构
代理人
地址 215009 江苏省苏州市高新区学府路99号
入库时间 2022-08-23 13:01:52
机译: 用于沉积硅氮化物或硅氧氮化物的等离子体增强化学气相沉积方法,制备一层这样的层排列的方法以及层排列
机译: 在硅上进行氧化物和氮化物减反射涂层的低温等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法
机译: cBN cBN一种制备硼化物和氮化物涂层的cBN颗粒的方法以及由此制备的cBN
机译:(PS175)通过机械合金化方法制备高熵合金和放电等离子体烧结法
机译:机械合金化方法制备的Ti-Al涂层的脉冲等离子体处理
机译:通过远程等离子增强化学气相沉积制备的多孔SiO2膜-一种用于光伏模块的新型抗反射涂层技术
机译:一种制备铝涂层CNP增强复合材料的方法
机译:脉冲激光沉积制备的氮化物超晶格硬质涂层的结构性能关系
机译:等离子表面合金化沉积Ta涂层3Y-TZP陶瓷的制备微观结构力学性能和生物相容性
机译:等离子体增强气溶胶-凝胶法:制备陶瓷涂层的新方法
机译:界面涂层和氮化物增强添加剂对Hi-Nicalon siC纤维增强反应烧结氮化硅复合材料性能的影响