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一种具有室温柔性的Cu2X块体热电材料的制备方法

摘要

本发明首次开发了一种具有室温柔性的Cu2X块体热电材料的制备方法,它以Cu2X化合物粉体为原料(其中X=Se或S),依次进行冷压和扎制处理得到高致密度的Cu2X块体热电材料。本发明采用冷压致密化手段,可有效改善现有热加工成型工艺容易造成S及Se元素挥发从而影响产物组成和致密化效果等问题,涉及的制备工艺简单、反应条件温和,且所得Cu2X块体热电材料的致密化程度高,在室温条件下可表现出良好的柔性及优异的热电性能,在柔性电子领域等具有重要的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN109319748B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201811452626.0

  • 申请日2018-11-30

  • 分类号C01B19/04(20060101);C01G3/12(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人唐万荣;李欣荣

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2022-08-23 13:00:29

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