公开/公告号CN111662666B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11
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申请/专利权人 深圳先进电子材料国际创新研究院;
申请/专利号CN202010651126.0
申请日2020-07-08
分类号C09J163/00(20060101);C09J163/04(20060101);C09J11/04(20060101);C09J7/10(20180101);C09J7/30(20180101);H01L23/29(20060101);H05K1/03(20060101);
代理机构11430 北京市诚辉律师事务所;
代理人范盈
地址 518103 广东省深圳市宝安区福永街道龙王庙工业区
入库时间 2022-08-23 13:00:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-09
专利权的转移 IPC(主分类):C09J 163/00 专利号:ZL2020106511260 登记生效日:20221125 变更事项:专利权人 变更前权利人:深圳先进电子材料国际创新研究院 变更后权利人:深圳中科华正半导体材料有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:518103 广东省深圳市宝安区福永街道龙王庙工业区 变更后权利人:518100 广东省深圳市宝安区福永街道白石厦社区东区龙王庙工业区1栋201
专利申请权、专利权的转移
机译: 高频低损耗绝缘粘膜材料及其制备方法
机译: 一种零件的绝缘材料的制备方法,零件的绝缘材料,用途和绝缘元件,使用零件的绝缘材料制成的零件
机译: 改进了用于高频电流传输的低损耗电缆柔性绝缘体的磁珠以及这些电缆的使用