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公开/公告号CN110998763B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-24
原文格式PDF
申请/专利权人 菲尼克斯电气公司;
申请/专利号CN201880051865.7
发明设计人 延斯·海因里希;拉尔夫·霍夫曼;克里斯蒂安·米勒;
申请日2018-08-10
分类号H01F13/00(20060101);
代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人张凯;张杰
地址 德国勃郎贝克
入库时间 2022-08-23 12:59:38
机译: 磁化至少两个具有不同矫顽磁场强度的磁体的方法
机译: 磁存储介质,至少包含两个不同的磁性粒子群,每个粒子群具有独立的平均矫顽场强
机译:用高矫顽矫矫顽磁铁的机电能量转换器中选择转子的磁系统
机译:过渡金属硫族化物中的低场负磁化和矫顽场磁化反转;中子衍射产生的Cr2FeSe4磁性结构
机译:X射线剩磁圆二色性研究局部磁性对基于双金属矫顽分子的磁体的磁化的影响
机译:脉冲磁化多电感器的计算与优化(退磁)高矫顽磁铁
机译:磁铁矿的剩磁和热剩磁:在古磁性和地磁场强度测定中的应用。
机译:来自两个供应商的两个场强在大脑中的定量磁化率映射的可重复性
机译:场分子速率依赖于单分子的矫顽场 磁铁:应用于量子状态的经典方法
机译:m1s不是单一基因,等位系统:不同的刺激m1s决定因素,是至少两个非神经,无关联基因的产物