公开/公告号CN110579494B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN201910887273.5
申请日2019-09-19
分类号G01N23/22(20180101);G01N23/04(20180101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人骆希聪
地址 430205 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2022-08-23 12:58:16
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
机译: 一种自对准多晶硅化物制造方法,该方法使用材料的平坦化层将多晶硅结构暴露于顺序沉积的金属层上,该金属层反应形成金属硅化物
机译: 通过溅射金属沉积,金属离子注入或硅注入和激光退火为CMOS设备生产双门(一种金属和一种多金属或金属硅化物)的方法