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具有集成EMI和RFI屏蔽的包覆成型半导体封装

摘要

根据一个示例性实施例,一种包覆成型封装,包括位于衬底上的半导体管芯。所述包覆成型封装还包括位于所述半导体管芯和所述衬底上方的包覆模体,其中所述包覆模体具有顶面。所述包覆成型封装还包括位于所述包覆模体的所述顶面上的导电层,其中所述导电层包括导电聚合体,并且其中所述导电层形成EMI和RFI屏蔽。根据该示例性实施例,所述包覆成型封装还可包括位于所述衬底上方的柱,其中所述柱连接到所述导电层。所述包覆成型封装还可包括位于所述包覆模体中的孔,其中所述孔位于所述柱上方,其中用所述导电聚合体填充所述孔,以及其中所述导电聚合体与所述柱接触。

著录项

  • 公开/公告号CN100485921C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 斯盖沃克斯瑟路申斯公司;

    申请/专利号CN200580006400.2

  • 申请日2005-02-11

  • 分类号H01L23/552(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人杨晓光;李峥

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-05-06

    授权

    授权

  • 2007-05-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-03-07

    公开

    公开

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