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一种基于应力发光材料的可重复记忆型应力薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于应力发光材料的可重复记忆型应力薄膜的制备方法,属于应力发光材料技术领域。本发明将高纯的CaCO3、Ga2O3、Bi2O3和Tm2O3进行研磨混匀得到混合粉料A;混合粉料A置于温度为1200~1250℃、氧化气氛中高温烧结10~12h,研磨得到CaGa2O4:Bi3+,Tm3+应力发光粉;CaGa2O4:Bi3+,Tm3+应力发光粉与PMMA胶体混合均匀得到混合液体,混合液体置于模具中,保鲜膜包覆后加热固化模具中的胶体,得到可重复记忆型应力薄膜。本发明可重复记忆型应力薄膜具有较高的应力发光强度,可在长期重复使用过程中保持原有的应力发光强度,且可实时记录每次施力的痕迹;具有高应力发光亮度、高稳定性、高灵敏度和可重复性等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN113087946B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN202110371849.X

  • 申请日2021-04-07

  • 分类号C08J5/18(20060101);C08L33/12(20060101);C08K3/22(20060101);

  • 代理机构12246 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人朱维

  • 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号

  • 入库时间 2022-08-23 12:57:01

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