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公开/公告号CN113087946B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 昆明理工大学;
申请/专利号CN202110371849.X
发明设计人 徐旭辉;吕鸿宇;刘志超;吴涛;余雪;邱建备;
申请日2021-04-07
分类号C08J5/18(20060101);C08L33/12(20060101);C08K3/22(20060101);
代理机构12246 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人朱维
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号
入库时间 2022-08-23 12:57:01
机译: 基于铝酸锶的应力发光材料和含铝化合物,用于制造基于铝酸锶的应力发光材料
机译: 用于应力分析的待测材料涂在液体中以在待测材料上形成薄膜-应力诱发的发光结构
机译:基于CDS纳米型柔性装置的超高应力响应和存储特性,用于可擦除的非易失性应力传感和记忆效应
机译:一种新的磁形记忆材料,可以通过磁场 - 元磁形状记忆合金获得大的位移和应力
机译:残余应力对CeBr_3发光的影响及其在压力记忆材料中的应用
机译:一种用施力致发光材料观察应力分布的新技术
机译:扩展基于弹性模量材料特征的基于应力的有限元模型,以开发一种理论上的框架,用于对粘性路基上的柔性路面进行真实的响应建模。
机译:左心房应力和心房颤动导管消融的长期结果:一种基于人工智能的心房壁应力预测
机译:形状记忆合金薄膜相变应力的确定:基于球形压痕的方法
机译:材料在重复应力和叠加静应力作用下失效