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具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜及制备方法

摘要

本发明涉及具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜及制备方法,该压电薄膜的化学组成为(0.85‑x)Bi0.5Na0.5TiO3–0.15PbTiO3–xBiInO3,其中x为摩尔分数,x=0~0.03,且不为0,采用金属有机物热分解法制备得到前驱体并涂覆在基片上。与现有技术相比,本发明制备的具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜具有优异的压电性能,其逆压电系数达123.1皮米/伏。

著录项

  • 公开/公告号CN110451954B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同济大学;

    申请/专利号CN201910666380.5

  • 发明设计人 翟继卫;吴双昊;沈波;

    申请日2019-07-23

  • 分类号C04B35/475(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈亮

  • 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号

  • 入库时间 2022-08-23 12:55:42

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