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基于星状嵌段共聚物的自支撑多级孔碳材料的制备方法和应用

摘要

本发明涉及基于星状嵌段共聚物的自支撑多级孔碳材料的制备方法和应用,以超支化聚酯H40为大分子引发剂,两步可逆加成‑断裂链转移聚合法制备星状聚酯‑star‑(聚丙烯酸叔丁酯‑b‑聚丙烯腈)嵌段共聚物(H40‑star‑(PtBA‑b‑PAN)),利用静电纺丝手段得到自支撑聚合物膜,通过热交联和高温煅烧制备自支撑多孔碳膜,并对其形貌和结构进行分析。碳化后的多孔碳膜作为柔性电极材料,在柔性固态超级电容器领域具有良好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN111653434B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海应用技术大学;

    申请/专利号CN202010442365.5

  • 申请日2020-05-22

  • 分类号H01G11/26(20130101);H01G11/32(20130101);H01G11/86(20130101);C01B32/05(20170101);C08F293/00(20060101);

  • 代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人顾艳哲

  • 地址 201418 上海市奉贤区海泉路100号

  • 入库时间 2022-08-23 12:55:24

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