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稀土元素Tm掺杂的铌酸银反铁电陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明涉及稀土元素Tm掺杂的铌酸银反铁电陶瓷材料及其制备方法,所述稀土元素Tm掺杂的铌酸银反铁电陶瓷材料为单一钙钛矿结构,其组成通式为Ag1‑3xTmxNbO3,其中,0.01≤x≤0.08。

著录项

  • 公开/公告号CN111825451B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN201910305422.2

  • 申请日2019-04-16

  • 分类号C04B35/495(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/626(20060101);C04B35/638(20060101);

  • 代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹芳玲;郑优丽

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 12:55:20

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