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用于控制存储系统中的积极终端电阻的装置及其方法

摘要

提供一种用于积极(active)终端电阻的控制装置及其方法,能够控制动态随机存取存储器(DRAM)的积极终端电阻的开/关状态而不必考虑安装在存储模块中的动态随机存取存储器的工作模式。安装在存储电路中的缓冲电路包括:信号终端;具有耦合到信号终端的一个输入端的同步输入缓冲器;具有耦合到信号终端的一个输入端的异步输入缓冲器;以及依据存储电路的工作模式选择地输出同步输入缓冲器的输出或异步输入缓冲器的输出的开关电路。用来控制积极终端电阻的装置及其方法,能够控制积极终端电阻的开/关而不必考虑延迟锁定环路或相位锁定环路的工作模式,从而减少数据泡沫(bubble)。

著录项

  • 公开/公告号CN100492533C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN02157515.0

  • 发明设计人 庆桂显;

    申请日2002-10-19

  • 分类号G11C11/4063(20060101);G11C7/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人马莹;邵亚丽

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-05-27

    授权

    授权

  • 2004-12-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-05-14

    公开

    公开

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