一种Spiro-OMeTAD单斜晶体的制备方法

摘要

本发明公开了一种Spiro‑OMeTAD单斜晶体的制备方法，包括以下步骤：选取特殊的溶剂，采用反溶剂气相扩散辅助结晶法诱导Spiro‑OMeTAD结晶，在反溶剂逐渐挥发扩散的作用下，溶液逐渐饱和并伴随Spiro‑OMeTAD单斜晶体析出。通过本发明提供的方法制备出的Spiro‑OMeTAD单斜晶体，具有更高的空间对称性，通过导电性能测试发现其相比于三斜晶体具有更好的导电性能。