一种基于显微视觉的芯片应变测量方法

摘要

本申请公开了一种基于显微视觉的芯片应变测量方法，包括：在芯片上选取至少两个已知参考点；获取每两所述参考点之间的实际距离；在所述芯片变形前后分别获取所述参考点位置处的高倍显微图像；计算所述高倍显微图像中各参考点变形前后的相对位移；利用所述相对位移表征所述芯片的应变。本申请实施例提供的基于显微视觉的芯片应变测量方法，直接利用微纳加工在芯片表面留下的瑕疵或已知结构的特殊位置作为应变测量的初始距离，突破了该初始距离受显微镜视场大小的限制。并且，本方法直接利用特征点的像素坐标值，将测量精度大大提高。本申请实施例提供的基于显微视觉的芯片应变测量方法可测得的微小应变为，满足微小应变测量要求。