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用于从SRAM存储器中读取数据的集成电路装置和方法

摘要

根据本发明的实施例公开了IC装置。在实施例中,IC装置包括:静态随机存取存储器(SRAM)的位单元的阵列;多级数字化模块,该多级数字化模块被配置成从该位单元的阵列中的位单元生成在值的范围内的值,该值的范围包括两个以上离散值;输出缓冲器,该输出缓冲器被配置成存储所生成的值;以及错误校正码(ECC)解码器,该错误校正码(ECC)解码器被配置成基于所存储的值输出错误校正值。

著录项

  • 公开/公告号CN106448741B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 恩智浦有限公司;

    申请/专利号CN201610630055.X

  • 发明设计人 纳赫·恩靳;阿杰伊·卡谱;

    申请日2016-08-03

  • 分类号G11C29/42(20060101);G11C29/50(20060101);G06F11/10(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人纪雯

  • 地址 荷兰埃因霍温高科技园区60邮编:5656 AG

  • 入库时间 2022-08-23 12:46:00

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