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一种高光谱图像传感器单片集成方法、传感器及成像设备

摘要

本发明提供一种高光谱图像传感器的单片集成方法,包括:在CMOS图像传感器晶圆的感光区域表面上形成底反射层;采用多次薄膜沉积工艺和多次光刻、刻蚀工艺的方法在底反射层上形成多个台阶结构,构成透明空腔层;在透明空腔层上沉积薄膜形成顶反射层。本发明提供的高光谱图像传感器的单片集成方法,通过控制薄膜沉积工艺条件,实现对透明空腔层各个台阶的厚度的精准控制,优化了现有技术采用刻蚀工艺导致的不均匀性累积的问题。本发明还提供一种高光谱图像传感器和含有高光谱图像传感器的成像设备。

著录项

  • 公开/公告号CN110867461B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201911174534.5

  • 申请日2019-11-26

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构11628 北京知迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人王胜利

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 12:45:24

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