一种导电填料及其半导电屏蔽材料的制备方法

摘要

本发明属于导电屏蔽材料领域，涉及一种导电填料及其半导电屏蔽材料的制备方法。本发明制备了一种Ag/Fe‑Ni/空心玻璃微珠导电填料，首先采用高温还原金属氧化物工艺，对空心玻璃微珠多次包覆铁镍合金，然后采用化学还原法，对铁镍合金包覆的玻璃微珠多次包覆银，通过设置中间包覆层制备过程中的包覆次数、包覆层中Fe2O3与NiO的质量比以及制备的导电填料的用量，使得半导电屏蔽材料在低频或高频时具有优良的屏蔽性能，低频时的屏蔽效能为10～19dB，高频时的屏蔽效能为30～44dB。本发明的导电填料替代部分炭黑后，不仅与炭黑协同导电屏蔽，而且降低了填料的总份数，保证了半导电屏蔽材料的轻量化。