硅基半导体MIS结构及其制备方法、光电阴极和应用

摘要

本发明属于半导体电极技术领域，公开了一种硅基半导体MIS结构及其制备方法、光电阴极和应用，先除去p型硅片体表面自氧化产生的SiO2，然后对p型硅基底进行功能化处理后，再表面原子层沉积Al2O3纳米层或者TiO2纳米层，最后表面沉积金属Ti纳米层，得到硅基半导体MIS结构；其金属Ti纳米层上沉积催化层构成硅基半导体MIS结光电阴极，该光电阴极应用于光电化学池光解水制氢中。本发明利用Al2O3纳米层或TiO2纳米层作为超薄隧穿层，对p型硅基底起到钝化作用，有效降低了p‑Si与Ti之间的界面复合，促进了光生载流子的分离，提升了p型硅的光生电压。