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一种宽温域、低驱动电压的量子点掺杂蓝相液晶的制备方法

摘要

本发明提供了一种宽温域、低驱动电压的量子点掺杂蓝相液晶的制备方法。所述的量子点掺杂蓝相液晶是将一定浓度的量子点掺杂进蓝相液晶中,使之形成稳定的混合物,利用量子点的纳米特性和量子点特性,使蓝相液晶被量子点稳定,拓宽温域,同时降低了蓝相液晶实际应用中的相变驱动电压。本发明解决了普通蓝相液晶温域窄、驱动电压高的问题。在最佳的掺杂比例下,最高可以拓宽1.9℃的温域,降低百分之五十七的驱动电压。

著录项

  • 公开/公告号CN111154501B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN202010043761.0

  • 发明设计人 赵东宇;唐家悦;

    申请日2020-01-15

  • 分类号C09K19/58(20060101);

  • 代理机构11399 北京冠和权律师事务所;

  • 代理人李建华

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2022-08-23 12:40:07

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