公开/公告号CN107851453B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 电力荡半导体有限公司;
申请/专利号CN201680044308.3
发明设计人 大卫·A·霍夫曼;
申请日2016-07-26
分类号G11C11/412(20060101);G11C11/413(20060101);G11C7/18(20060101);
代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;
代理人张浴月;李晔
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:37:48
机译: 使用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元
机译: 使用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元
机译: 使用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元