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一种低温制备硅/碳化硅材料的方法

摘要

本发明涉及一种利用硅化镁为原料直接捕捉CO2低温制备硅/碳化硅的方法。硅/碳化硅材料是近年来研究应用较广泛的一种新型材料,具有耐磨、耐腐蚀和耐高温等特点,在机械、化工和冶金等领域应用较多。目前,硅/碳化硅材料的制备工艺主要有无压液相烧结、热压烧结、反应烧结和先驱体转化法。上述方法的反应温度均大于1500℃,能耗大、成本高昂。本文提供了一种利用硅化镁为原料直接捕捉CO2低温制备硅/碳化硅的方法,该方法在300℃就能发生反应。同时也捕捉了CO2气体,缓解了温室效应。

著录项

  • 公开/公告号CN110589831B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江工业大学;

    申请/专利号CN201910791606.4

  • 申请日2019-08-26

  • 分类号C01B32/963(20170101);C01B33/021(20060101);

  • 代理机构33230 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人施王蓉

  • 地址 310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

  • 入库时间 2022-08-23 12:37:17

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