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公开/公告号CN113257995B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 北京科技大学;
申请/专利号CN202110699600.1
发明设计人 张静言;王守国;窦鹏伟;吕浩昌;郑新奇;申见昕;
申请日2021-06-23
分类号H01L43/12(20060101);H01L43/10(20060101);G11C11/16(20060101);
代理机构11323 北京市隆安律师事务所;
代理人杨云
地址 100083 北京市海淀区学院路30号
入库时间 2022-08-23 12:36:41
机译: 电流产生的磁场辅助型自旋电流感应的磁化反转元件,磁阻效应元件,磁存储器和高频滤波器
机译: 电流产生磁场辅助型自旋感应磁化反转元件,磁阻效应元件,磁记忆和高频滤波器
机译: 电流磁场辅助自旋电流磁化反转元件,磁阻效应元件,磁记忆和高频滤波器
机译:由行进磁场波引起的单层YBCO薄膜的磁化曲线和交流磁化损失
机译:铁磁薄膜中的交流磁场辅助磁化反转
机译:磁共振磁磁化磁场LLG仿真效应的微波辅助记录研究
机译:垂直磁化铁磁半导体单层中的自旋轨道转矩磁化转换:像转矩一样的阻尼和像转矩一样的磁场
机译:使用具有平面内磁化强度的铋取代石榴石薄膜开发磁场传感器。
机译:磁场辅助扫描探针显微镜揭示的La掺杂BiFeO3多铁性薄膜中的局部磁电效应
机译:磁场辅助扫描探针显微镜揭示的La掺杂BiFeO多铁薄膜中的局部磁电效应
机译:磁化与外部电磁场的相互作用和时变磁性aharonov-Bohm效应