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一种具有多级孔结构的Si3N4-SiCN陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有多级孔结构的Si3N4‑SiCN陶瓷的制备方法,包括以下步骤:将氮化硅、一氧化硅、烧结助剂、造孔剂和凝胶助剂均匀混合,调节pH值为8.5~11.5,并球磨均匀,得到混合浆料;将混合浆料进行注模成型,固化后干燥、脱模,得到陶瓷坯体;将陶瓷坯体浸渍于含有聚硅氮烷的溶液中后,烘干,再交联固化,排胶裂解,重复浸渍‑交联固化‑排胶裂解过程,得陶瓷样品;将陶瓷样品下方间隔铺放硅源,将陶瓷样品和硅源在保护气氛下进行无压放电等离子烧结,得Si3N4‑SiCN陶瓷。本发明制备得到的Si3N4‑SiCN陶瓷适用于高温烟尘过滤且制备工艺简单、微观结构可调。

著录项

  • 公开/公告号CN110790574B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;

    申请/专利号CN201910499855.6

  • 发明设计人 李端;李斌;于秋萍;

    申请日2019-05-31

  • 分类号C04B35/584(20060101);C04B35/64(20060101);C04B38/10(20060101);C04B38/06(20060101);C04B38/00(20060101);

  • 代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);

  • 代理人张丽娟

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号

  • 入库时间 2022-08-23 12:34:19

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