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一种氢同位素结晶生长高度实时测量装置及方法

摘要

本发明公开了一种氢同位素结晶生长高度实时测量装置及方法,其中,测量方法包括:(1)在氢同位素结晶生长最初阶段,控制电动五维调整架进行Z方向调节完成对焦,并控制电动五维调整架在XY平面内移动,直到所需观察记录的区域位于系统视场中心为止;(2)通过电动五维调整架调整干涉测量系统的角度,得到合适的干涉图像;在开始监控之前,选择结晶初始位置背景上一点作为参考点,用于区域分割的基准,设定好监控时间间隔后,开始进行测量;(3)在监控时间节点,使用同步移相干涉测量方法,实时精确地计算出该时刻监控点的相位ΔΦ(t)及监控点绝对高度HDT(x,y)。利用本发明,可以有效且高精度的对氢同位素结晶生长高度进行实时计算。

著录项

  • 公开/公告号CN112577433B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN202011217049.4

  • 申请日2020-11-04

  • 分类号G01B11/06(20060101);G01N21/45(20060101);

  • 代理机构33224 杭州天勤知识产权代理有限公司;

  • 代理人彭剑

  • 地址 310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 12:32:36

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