电阻交叉点阵列中多比特存储单元存储器

摘要

数据存储装置(110)包括存储单元(114)的电阻的交叉点阵(112)。每一个存储单元(114)包括串联的第一和第二电阻器件(10，20)。每一电阻器件具有可编程的第一和第二电阻状态。所述数据存储器件还包括多个第一、第二和第三导体(116)以及读出电路(126)。每一个第一导体(118)连接到第一磁阻器件(10，20)列的数据层；每一个第二导体(120)连接到第二磁阻器件(10，20)列的数据层；而每一个第三导体(116)位于第一和第二磁阻器件(10，20)行的参考层之间。在读操作期间，读电路(126)施加不同的第一和第二电压。第一电压加到与所选存储单元(114)交叉的第一和第二导体(120)，而第二电压加到与所选存储单元(114)交叉的第三导体(116)。