公开/公告号CN112038616B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 山东大学;
申请/专利号CN202010726637.4
申请日2020-07-25
分类号H01M4/38(20060101);H01M4/134(20100101);H01M10/0525(20100101);C01B33/02(20060101);B82Y30/00(20110101);
代理机构37219 济南金迪知识产权代理有限公司;
代理人杨磊
地址 250199 山东省济南市历城区山大南路27号
入库时间 2022-08-23 12:30:16
机译: 用于去除III-V族元素的氧化物的去除液和方法,用于处理III-V族元素的化合物的处理液,用于防止III-V族元素的氧化的氧化防止液,用于处理导体基质的处理液以及制备方法半导体基板产品
机译: 这种方法制备的单质多孔碳的制备方法及其在双电层电容器电极材料中的应用
机译: 沉积碳化合物的方法,铂族-碳合金的制备方法,铂族-碳合金/无机多孔载体的制备方法以及氧化物反应产物的制备方法