杂质掺入方法、杂质掺入系统及利用它们形成的电子器件

摘要

本发明实现杂质引入而不引起基板温度上升。杂质引入步骤期间形成的晶格缺陷的物理性质被光学测量和控制从而它们对于后续步骤变得最优。杂质引入方法包括：引入杂质到固态基体的表面中的步骤；测量杂质被引入的区域的光学特性的步骤；根据所测量的杂质引入区域的光学特性确定退火条件的步骤；以及在如此确定的退火条件下退火该杂质引入区域的步骤。