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纳米氧化物F的制备方法、耐电晕聚酰亚胺薄膜的制备方法

摘要

本发明提供的一种纳米氧化物F的制备方法和耐电晕聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明通过对纳米氧化物E以含1,3‑二羰基基团的硅烷偶联剂D进行表面修饰改性,得到的纳米氧化物F与聚酰胺酸树脂溶液具有高相容性,解决了受限于纳米氧化物的添加量低和分散均匀性差而导致的聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能和力学性能不理想的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN112011198B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中天电子材料有限公司;

    申请/专利号CN202010576028.5

  • 发明设计人 杨继明;刘贺;曾彩萍;金鹰;

    申请日2020-06-22

  • 分类号C09C3/12(20060101);C09C1/40(20060101);C09C1/30(20060101);C07F7/18(20060101);C08K9/06(20060101);C08K3/22(20060101);C08K3/36(20060101);C08L79/08(20060101);C08J5/18(20060101);

  • 代理机构44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐丽;许春晓

  • 地址 226010 江苏省南通市经济技术开发区齐心路108号

  • 入库时间 2022-08-23 12:28:05

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