由不同半导体材料组成的堆栈长条纳米形状及其结构

摘要

本发明涉及由不同半导体材料组成的堆栈长条纳米形状及其结构，揭露的是形成由不同半导体材料组成的堆栈长条纳米形状(NS)(例如堆栈纳米线(NW))于衬底之上的方法，使用堆栈NS来形成不同装置(例如具有不同类型传导率的堆栈场效应晶体管(FET))的方法，以及所产生的结构。在该方法中，由相同第一半导体材料制成的堆栈长条NS可形成于衬底之上。堆栈长条NS可至少包括第一NS与在第一NS之上的第二NS。然后，可选择性地加工第二NS以便把第二NS从第一半导体材料转换成第二半导体材料。第一及第二NS随后可各自用来形成第一及第二装置，其中，第二设备堆栈在第一装置之上。第一及第二装置例如可各自为第一及第二FET。