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基于防伪底纹与图像复用的防伪超表面的设计方法

摘要

本发明涉及微纳光学及光学防伪技术领域,公开了一种基于防伪底纹与图像复用的防伪超表面的设计方法,包括如下步骤:构建纳米砖阵列,纳米砖阵列包括多个纳米砖结构单元,优化获得功能等效为微纳起偏器、具有不同光谱响应的至少两组纳米砖结构单元的备选尺寸参数,且各组备选尺寸的纳米砖结构在波长λ0处的响应特性相同;确定超表面需要进行复用的连续灰度图像、防伪底纹图像以及双色图像;根据进行复用的图像来排列纳米砖单元结构的尺寸和纳米砖转向角,构成超表面材料。本发明设计的超表面在不同偏振方向的线偏振光入射下能显示灰度图像或防伪底纹图像,在白光照明下显示双色图像,其具有算法复杂程度低、安全性高以及隐蔽性强等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN111210713B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN202010070641.X

  • 申请日2020-01-21

  • 分类号G09F3/02(20060101);G02B5/30(20060101);G02B27/00(20060101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人罗敏清

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2022-08-23 12:24:58

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