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一种在多孔基材上制备大面积无裂纹厚膜光子晶体的方法

摘要

本发明涉及一种在多孔基材上制备大面积无裂纹厚膜光子晶体的方法,采用多种多孔基材,置于由单分散微球配成的悬浊液中,利用垂直沉降自组装的方法,随着溶剂挥发,使单分散微球在基材的孔洞中排列成光子晶体结构。与现有技术相比,本发明通过改变基材的厚度和悬浊液的浓度,实现了厚度从20μm‑650μm的光子晶体的制备,还通过调整基材的面积,实现了面积从0.1cm2‑100cm2光子晶体的制备,且该光子晶体表面无明显裂纹。

著录项

  • 公开/公告号CN110983424B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201911135116.5

  • 发明设计人 胡晓斌;蔡子贺;林升炫;肖佳佳;

    申请日2019-11-19

  • 分类号C30B7/04(20060101);C30B7/06(20060101);C30B29/64(20060101);C30B29/18(20060101);C30B29/54(20060101);

  • 代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈亮

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 12:22:42

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