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公开/公告号CN109942798B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 北京印刷学院;
申请/专利号CN201910215598.9
发明设计人 吴倜;刘省珍;蒲嘉陵;张伟民;
申请日2019-03-21
分类号C08G61/12(20060101);
代理机构11226 北京中知法苑知识产权代理有限公司;
代理人李明
地址 102600 北京市大兴区兴华大街(二段)1号
入库时间 2022-08-23 12:21:49
机译: 高纯度吡咯并喹啉基-吡咯-2,5-二酮和吡咯并喹啉基-吡咯烷-2,5-二酮及其制备方法
机译:具有聚二甲基硅氧烷侧链的二酮吡咯并吡咯基聚合物的合成及其在有机场效应晶体管中的应用
机译:吡咯[3,4-c]吡咯-1,4-二酮基聚合物的性能调节,该聚合物含有在吡咯单元上具有不同取代基的2,5-二(2-噻吩基)吡咯衍生物
机译:基于二酮吡咯唑衍生物的N型薄膜晶体管:硅氧烷侧链的作用和电子 - 取代取代基
机译:用水溶性取代基通过9-甲基环庚膜B吡啶酰基吡酰胺5,4-D吡咯-8,10-二酮检测氧化反应。
机译:基于噻吩取代的异靛蓝,5-乙酰基-4H环戊[c]噻吩-4,6(5H)-二酮和二酮吡咯并吡咯电子缺陷单元的共轭聚合物和小分子的设计和合成。
机译:用聚二甲基硅氧烷侧链合成二酮吡咯基聚合物及其在有机场效应晶体管中的应用
机译:吡咯基导电聚合物的化学和物理性质:中性聚吡咯的氧化