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用于带内载波聚合的接收器前端架构

摘要

公开了一种用于带内载波聚合的接收器前端架构。在示例性实施例中,一种装置包括第一晶体管,第一晶体管具有接收输入信号的栅极端子、输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子。该装置还包括第二晶体管,第二晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的源极端子和连接至第一负载的漏极端子。该装置还包括第三晶体管,第三晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的栅极端子、连接至第二负载的漏极端子和连接至信号地的源极端子。

著录项

  • 公开/公告号CN107112957B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201580061296.0

  • 发明设计人 G·拉简德兰;G·S·萨霍塔;R·库马;

    申请日2015-09-30

  • 分类号H03F1/22(20060101);H03F1/26(20060101);H03F1/30(20060101);H03F1/32(20060101);H03F3/68(20060101);H03F3/72(20060101);H04B1/00(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华;张曦

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 12:20:56

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