一种聚硅氧烷粉体填料的制备方法、由此得到的聚硅氧烷粉体填料及其应用

摘要

本发明涉及一种聚硅氧烷粉体填料的制备方法，提供包括至少60wt％的T单位的聚硅氧烷，其中，T单位＝R₁SiO₃‑，R₁为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的有机基；以及在惰性气体氛围或真空条件下，对该聚硅氧烷进行热处理，热处理温度为250度以上至750度以下，以使得聚硅氧烷中的硅羟基发生缩合以得到真密度大于等于1.33g/cm³，更佳的大于等于1.34g/cm³的聚硅氧烷粉体填料。本发明还提供一种根据上述的制备方法得到的聚硅氧烷粉体填料。本发明又提供一种根据上述的聚硅氧烷粉体填料的应用。本发明提供的聚硅氧烷粉体填料具有低诱电率、低诱电损失和低放射性。