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一种接触网金属结构环境下的纳米光子传感器性能验证方法

摘要

本发明涉及纳米光子传感器技术领域,公开了一种接触网金属结构环境下的纳米光子传感器性能验证方法,包括如下步骤:(1)设计纳米光子传感器材料结构模型;(2)计算出纳米光子传感器材料结构模型的传感性能;(3)分析接触网金属结构的应力状态,建立接触网金属结构应力状态与纳米光子传感器光谱响应的理论模型;(4)制备纳米光子传感器实验器件,测试纳米光子传感器实验器件与接触网金属结构的应力和应变数据;(5)计算出纳米光子传感器埋入机理数据;(6)验证纳米光子传感器感测功能的有效性和埋入方法的可行性。可以适用于高速铁路接触网的极端环境,且能有效验证纳米光子传感器埋入后的性能情况。

著录项

  • 公开/公告号CN110631615B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东交通大学;

    申请/专利号CN201910783933.5

  • 申请日2019-08-23

  • 分类号G01D5/353(20060101);

  • 代理机构36136 南昌贤达专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人吴小平

  • 地址 330000 江西省南昌市青山湖区昌北经济开发区双港东大道808号

  • 入库时间 2022-08-23 12:19:15

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