首页> 中国专利> 合金纳米晶/硫化钼复合材料、其可抛弃式电化学传感器及其制造方法

合金纳米晶/硫化钼复合材料、其可抛弃式电化学传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种合金纳米晶/硫化钼复合材料、其可抛弃式电化学传感器及其制造方法。本发明以硫化钼超薄层状材料为基底,采用原位合成法或分步修饰法将合金纳米晶生长于硫化钼纳米层状材料表面。依靠合金纳米晶的支撑作用在二维硫化钼层间形成新的活性空间,为反应物分子提供有效的物质疏运和电子传输通道,利用硫化钼超薄层状材料与合金纳米晶的界面耦合效应,改善了其对生物分子的选择性吸附使其具有更加优异的特异性响应性能。本发明制造的可抛弃式电化学传感器能够在不同的氧化/还原电位下,实现对不同生物分子的选择性检测,具有制作便捷、成本低、灵敏度高、检测下限低以及响应时间短等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN109521078B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN201811272218.7

  • 申请日2018-10-30

  • 分类号G01N27/48(20060101);G01N27/327(20060101);

  • 代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人顾勇华

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2022-08-23 12:17:18

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号