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公开/公告号CN110381659B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201910483516.9
发明设计人 邓伟锋;张佳;刘彦明;
申请日2019-06-04
分类号H05H1/00(20060101);
代理机构61227 西安长和专利代理有限公司;
代理人黄伟洪
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学
入库时间 2022-08-23 12:17:03
机译: 通过功率分配同时或成功形成电容耦合等离子体的射频功率分配装置和方法
机译: 电容耦合的射频等离子体反应器及其制造方法
机译: 电抗器电容耦合射频等离子体及其制造方法。
机译:氧电容耦合射频等离子体改性聚乙烯老化过程中的疏水过度恢复:一种具有高水附着力的稳定超疏水表面的新方法
机译:无侵入性方法测量电容耦合等离子体射频中的电子温度
机译:粉尘粒度对射频电容耦合硅烷等离子体等离子体特性的影响
机译:均匀放电模型在电容耦合射频辉光放电等离子体中非线性等离子体串联谐振效应的实验和数值研究
机译:电容耦合射频等离子体放电的数值模拟。
机译:用于射频等离子体表征的多尖端探针诊断系统的简单设计开发
机译:表面条件对电容耦合氧等离子体的射频驱动中等离子体动力学和电子加热的影响
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