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一种抗单粒子翻转效应的LVDS接口发射器电路

摘要

本发明一种抗单粒子翻转效应的LVDS接口发射器电路,包括三组数字控制逻辑,五个多数表决电路和一个驱动电路。针对空间辐射环境特点,对LVDS接口发射器电路数字控制部分进行三模冗余处理,当其中一路数字控制逻辑发生单粒子翻转效应时,LVDS接口发射器电路仍能够正常工作,使发射器电路抗单粒子翻转性能大幅提升;同时,保留驱动电路的单模结构,确保发射器输出驱动电路输出接口电特性保持不变。多数表决电路采用简洁的12管单元结构,减小LVDS接口发射器面积。本发明结构简单,易于实现,适用于常规LVDS接口发射器电路的单粒子翻转效应加固,提高了LVDS接口发射器电路在空间应用中的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN108762991B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安微电子技术研究所;

    申请/专利号CN201810569560.7

  • 申请日2018-06-05

  • 分类号G06F11/18(20060101);G06F13/40(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人徐文权

  • 地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

  • 入库时间 2022-08-23 12:15:08

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