公开/公告号CN109400931B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉纺织大学;
申请/专利号CN201811396497.8
申请日2018-11-22
分类号C08J5/18(20060101);C08J9/26(20060101);C08L27/16(20060101);C08K3/22(20060101);H01L41/193(20060101);H01L41/45(20130101);
代理机构42001 武汉宇晨专利事务所(普通合伙);
代理人王敏锋
地址 430200 湖北省武汉市江夏区阳光大道1号
入库时间 2022-08-23 12:13:43
机译: β型聚偏氟乙烯膜的制造方法,β型聚偏氟乙烯膜,压电传感器的制造方法以及具有β型聚偏氟乙烯膜的压电传感器
机译: 用β型聚偏氟乙烯膜制备的基质及其制备方法,装有β型聚偏氟乙烯膜的压电传感器及其制备方法
机译: 聚偏氟乙烯多孔膜及其制备方法