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适用于双列直插式存储模块的卡槽、主板及主板设计方法

摘要

本发明提供了一种适用于双列直插式存储模块的卡槽、主板及主板设计方法,方法包括以下步骤:获取信号层的布线情况,根据信号层的布线情况确定每一个DIMM模块与信号层的连接区域;根据连接区域确定DIMM模块必须连接的接地层并设计接地层的通孔路径;在满足焊接可靠性要求的情况下,挖空DIMM模块不是必须连接的接地层中的地管脚,配合通孔路径制备形成新的接地层;使用新的接地层进行主板制备。本发明还提供了基于上述设计方法制备的卡槽和主板。本发明通过分析信号连接的区域,分区域确定DIMM对地的连接,从而降低每个DIMM地管脚的连接层数。本发明解决了透锡不良造成SI性能降低的问题,在不增加成本的前提下保证了主板的SI性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111338439B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州浪潮智能科技有限公司;

    申请/专利号CN202010110213.5

  • 发明设计人 田民政;

    申请日2020-02-23

  • 分类号G06F1/18(20060101);G06F1/16(20060101);G06F30/392(20200101);G06F113/18(20200101);

  • 代理机构37105 济南诚智商标专利事务所有限公司;

  • 代理人李修杰

  • 地址 215100 江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢

  • 入库时间 2022-08-23 12:11:51

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