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激光织构圆形凹坑阵列金属离子注入改性聚酰亚胺表面的方法

摘要

本发明公开了一种激光织构圆形凹坑阵列金属离子注入改性聚酰亚胺表面的方法,是先利用激光加工系统,将聚酰亚胺表面采用“单脉冲同点间隔多次”工艺进行圆形凹坑阵列织构化处理,再采用Mevva‑5.Ru真空电弧离子源,在经织构化处理的聚酰亚胺表面注入Al金属离子,获得改性聚酰亚胺。改性聚酰亚胺的摩擦系数从0.80降低至0.20左右,具有低摩擦性能,可用于航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域,也可以作为桥梁、建筑滑板表面处理的新技术,提高其耐磨和润滑性能。

著录项

  • 公开/公告号CN112376030B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院兰州化学物理研究所;

    申请/专利号CN202011356146.1

  • 申请日2020-11-27

  • 分类号C23C14/48(20060101);C23C14/02(20060101);B23K26/352(20140101);C08J7/12(20060101);C08L79/08(20060101);

  • 代理机构62201 兰州智和专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张英荷

  • 地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号

  • 入库时间 2022-08-23 12:10:28

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