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一种基于石墨烯光学双稳态的全光开关及光存储器

摘要

本发明公开了一种基于石墨烯光学双稳态的全光开关及光存储器,首先利用材料的损耗和增益共同作用,精细地调制MgF2和ZnS为基质的掺杂电介质材料的折射率实部和虚部,使其折射率满足宇称‑时间对称性,形成宇称‑时间对称结构的谐振腔;然后把石墨烯嵌入此结构的中心,利用石墨烯的三阶非线性效应,实现低阈值的光学双稳态,双稳态的阈值低至GW/cm2量级;最后利用石墨烯的双稳态效应用制作全光通信系统中的全光开关及光存储器;本发明为现有的全光开关的光存储器提供了一种新的选择,且开关阈值可通过石墨烯的化学势灵活调节。

著录项

  • 公开/公告号CN109298583B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北科技学院;

    申请/专利号CN201811486391.7

  • 发明设计人 赵东;

    申请日2018-12-06

  • 分类号G02F3/02(20060101);H03K17/94(20060101);G11C13/04(20060101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人魏波

  • 地址 437100 湖北省咸宁市咸宁大道88号

  • 入库时间 2022-08-23 12:10:03

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