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一种稳定、高效的钙钛矿半导体薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种稳定、高效的钙钛矿半导体薄膜太阳能电池及其制备方法,所述太阳能电池包括以有机磷化物进行表面修饰的钙钛矿吸收层;所述以有机磷化物进行表面修饰的钙钛矿吸收层为钙钛矿材料与有机磷化物混合为一体得到的复合层,或为钙钛矿半导体薄膜层及其表面覆盖的有机磷化物吸收层,或为钙钛矿材料与有机磷化物混合为一体得到的复合层及其表面覆盖的有机磷化物吸收层。本发明制备的钙钛矿半导体薄膜太阳能电池开路电压、电池效率明显提升,器件稳定性提高。

著录项

  • 公开/公告号CN109920915B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201910176547.X

  • 申请日2019-03-08

  • 分类号H01L51/42(20060101);H01L51/48(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人崔友明;官群

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2022-08-23 12:09:52

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